在3月的GTC2024会议之后，三星电子展台上的一张带有Nvidia负责人批准分辨率的照片开始在网络上闪现，旁边是HBM3E等12层内存样品。许多人认为，这使该品牌的记忆更接近于在英伟达加速器中的大规模使用，但路透社消息人士保证，这家韩国公司的这些产品仍然对潜在客户的特性不满意。
至少在4月份的认证测试阶段，三星的8层和12层HBM3E内存以及更成熟的HBM3样品仍然失败，因为它们表现出比Nvidia更高的功耗和散热水平。自去年以来，三星一直试图通过这些测试，但到目前为止，它们还没有成功。与此同时，三星将在下月底开始向客户出货12层HBM3E芯片，可能领先于细分市场领先的SK海力士。与此同时，美光科技已经宣布，其HBM3E芯片将于今年供应给英伟达。事实上，作为世界上最大的大多数类型内存制造商，三星仍然无法提供HBM3和HBM3E来满足Nvidia的需求。
最近负责半导体产品生产的三星电子部门管理层的变化可能只是这家韩国公司在满足英伟达需求方面存在问题的结果。与此同时，三星早在2015年就开始了第一代HBM的商业交付，它不能被称为该细分市场的新手。然而，先驱者仍然是SK海力士，该公司于2013年完成了HBM的开发。
正如英国《》援引SK海力士质量控制主管KwonJae-soon的话补充的那样，该制造商现在认为增加8层HBM3E内存的产量是当务之急，这是客户最需要的。该公司设法将HBM3E细分市场的良率提高到80%，并将生产周期缩短了50%。正是与缺陷的斗争为公司在该领域的业务提供了必要的财务资源，并为进一步的成功发展奠定了基础。该公司正在与台积电合作开发HBM4，预计将于2025年发布，比三星早一年。从这个角度来看，SK海力士准备在今年上半年年底前建立12层HBM3E堆栈的供应并不是特别令人担忧。
