针对2019年12月31日韩国三星电子于华城厂区所发生的跳电事件，整体影响到DRAM、NANDFlash及LSI方面采用EUV技术来生产系统半导体的部分，分析机构指出，在跳电时间较短的情况下，虽然影响缩小到可控制的范围内。但是，其真正的损失金额仍有待三星在进行完产线检查后进一步公布。
三星电子位于韩国华城的工厂，在2019年12月31日发生了短暂的跳电情况，使得华城厂区内的部分工厂短暂停产。整个跳电时间约1分钟，之后立即恢复供电，目前三星正在积极的进行产线检查，在了解受损程度之后，以便在最短时间内恢复生产。
对此，集邦咨询表示，三星华城厂区短暂停电事件因为停电时间小于3分钟，厂区的UPS不断电系统适时给予支援而避免大范围的冲击，但正常的工厂作业流程仍需停机检查，初步确认影响有限。
集邦咨询进一步表示，三星华城厂区发生跳电的NANDFlash工厂为Line12，主要以生产2DNAND为主，并非主流3DNAND产品。除此之外，该厂区也有DRAM生产(Line13部分)与LSI生产(Line11与部分Line13)。
不过，由于Line13目前只有20纳米制程，并非先进的1X/1Y纳米制程，而在采用EUV技术来生产系统半导体的LSI代工部分，其主要以CMOS产品为主，加上跳电时间短、不断电系统顺利衔接，虽然仍需停机检查，但应可迅速恢复。
