AI正在加速高带宽存储技术的使用增长。
钛媒体App8月9日消息，据TrForce集邦咨询8日发布的最新报告显示，随着AI芯片迭代，单一芯片搭载的HBM（高带宽内存）容量也明显增加，而英伟达（NVIDIA）目前是HBM市场的最大买家，预期2025年推出BlackwellUltra、B200A等产品后，其在HBM市场的采购比重将突破70%。
报告还显示，在AI芯片与单芯片容量的增长推动下，对产业整体的HBM的消耗量（使用量）有显著提升，2024年预估年增率将超过200%，2025年HBM消耗量将再翻倍。而受到Blackwell平台全面搭载HBM3e、产品层数增加，以及单芯片HBM容量的上升，英伟达对HBM3e市场整体的消耗量将进一步推升至85%以上。
另据美国银行预测，HBM市场将持续增长，全球HBM销售额已经从2023年的16亿美元，预计到2027年，这一市场将增长至266亿美元，年均增长率为59%。
实际上，当前，AI服务器最核心的三个要素——计算（算力）、网络（通讯）和存储都面临供需不均衡情况，需求增多，但供给和创新技术面临一定瓶颈，因此，加大网络通讯能力，以及为AI时代打造高容量、高性能和低功耗的存储解决方案变得至关重要。
三星电子副总裁、先行开发团队负责人张实完（SilwanChang）
8月8日在北京举行的2024开放计算中国峰会（OCPChinaday2024）上，三星电子副总裁、先行开发团队负责人张实完（SilwanChang）透露，该公司正在进行客户测试的HBM3E内存产品，预计其速度可高达9.8Gbps，带宽不低于1TB/s，而下一代HBM4产品预计会在2025年推出。
其中，HBM3E12H适用于生成式AI服务器领域。相较于HBM3，HBM3E12H最高容量提升50%、性能提升50%、能效提高12%。
除了HBM之外，张实完指出，三星于今年初开始量产128TBSSD，而三星的目标是向市场提供基于TLC和QLCNAND技术的各种规格的高容量产品，以满足AI应用对存储容量不断增长的需求。
具体产品性能层面，三星即将推出新一代PCIeGen5SSDPM1753，以满足AI训练和推理性能。与上一代产品相比，新款顺序写入性能提升1.6倍，随机读写速度分别提升1.3和1.7倍，闲置功耗降至4W。以基于TLC技术的PM1753为例，其AI工作负载下的顺序写入能效比上一代相比提高1.7倍，在传统服务器中的随机I/O操作的能效也提高了1.6倍。张实完称，PM1753有望成为生成式AI服务器应用所需的出色解决方案。
当前，随着AI服务器对于存储的需求增加，整个DRAM、NANDFlash、HBM等存储芯片市场开始企稳，三星电子业绩也出现回暖。
7月31日公布的三星电子2024年第二季度财报显示，营收增长23.4%，至74.06万亿韩元；净利润增长超过600%至9.64万亿韩元(69.6亿美元)，创下2010年以来最快的净利润增速。而其中，二季度半导体业务的销售额28.56万亿韩元，预期27.49万亿；营业利润6.45万亿韩元，预期5.06万亿韩元。这是自2023年第一季度以来连续5个季度亏损后，三星半导体业务首次实现季度营业利润。
三星电子表示，这一强劲表现得益于对存储芯片的强劲需求，包括用于AI服务器和固态硬盘（SSD）的存储芯片。“HBM、DDR5等以服务器为中心的产品销售扩大，同时公司积极应对生成式AI服务器用高附加值产品的需求，使得业绩较上季度大幅改善。”三星电子预计，2024下半年HBM、DDR5和SSD的内存需求将保持强劲，公司将扩大产能以提高HBM3E销售比例。
里昂证券(CLSA)分析认为，数据中心和AI开发需求推动内存芯片的平均价格较上一季度上涨了15%，这帮助三星最大的部门扭转了上年同期亏损。美银预计，三星2025年的HBM3e销售预计达24亿美元，占HBM总销售额的34%。
（本文首发于钛媒体App，作者｜林志佳，编辑｜胡润峰）
