前段时间，三星公布了自家的3纳米制程工艺已经达到了可以批量生产的标准，但因为三星工艺在骁龙888和骁龙8Gen1两款芯片上的表现并不尽如人意，所以仍有不少相关机构并不看好三星的工艺。
所以，据之前按相关媒体报道称，三星已经与SiliconFrontlineTechnology公司合作，以提高其半导体芯片在生产过程中的良率，以便于在3纳米工艺上赶超其他厂商。
报道中称，三星电子先进制程良率非常低，自5纳米制程开始一直存在良率问题，在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。
据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，良率不超过20%，量产进度陷入瓶颈。三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的问题，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，帮助三星晶圆厂进行前端工艺和芯片性能改进。
而据之前的报道，3纳米工艺的改进目前仍在进行中，4纳米的工艺提升却初见成效。
据凤凰网科技报道称，三星4纳米芯片制程良率已改善、接近5纳米的水准，下一代4纳米制程将提供更高的良率。
据悉，三星电子去年推出了4纳米芯片技术，但由于良率不高，导致部分客户转投台积电，包括之前使用三星4纳米工艺推出两款芯片的高通公司，并且三星电子也不得不在其GalaxyS22手机中使用骁龙8Gen1芯片，而不是自家的Exynos2200芯片。
然而今年以来，通过多方改进，三星电子在4纳米工艺方面取得了一定的进步，良率和产能都有所提升。
随着4nm的改进，今日消息，根据三星代工今天在年度三星代工论坛上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺，2027年推出1.4纳米级的工艺。与此同时，该公司还公布了SF2工艺的一些特性。
三星的SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。
与SF3相比，SF2工艺可以在相同的频率和复杂度下提高25%的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下提高12%的性能，在相同的性能和复杂度下减少5%的面积。为了让SF2工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIeGen6和112GSerDes等。
继SF2之后，三星将在2026年推出针对高性能计算（HPC）优化的SF2P，以及于2027年推出针对汽车应用优化的SF2A工艺。同样在2027年，该公司还计划开始使用（1.4纳米级）制造工艺进行量产。三星的2纳米级工艺将与台积电的N2（2纳米级）工艺大致同步，比英特尔的20A工艺晚一年左右。
