据报道，三星电子已启动大规模人事调整，将工程师调往位于平泽的下一代半导体中心。但该公司否认了这些说法，称这些说法毫无根据。
韩国媒体称，此次人事变动是由三星执行副总裁兼设备解决方案(DS)部门负责人全英铉(Young-hyunJun)主导的。
此次调动旨在提高先进DRAM工艺的良率，解决三星在高带宽存储器（HBM）方面的滞后问题，这是全永哲领导下振兴半导体部门的一项重要举措。
据韩国SBS报道，三星器兴和华城工厂的2000多名工程师已迁往平泽。据报道，此举由全俊下令，旨在让工程师更靠近生产基地，从而提高流程管理和产品质量。
此次调动的重点是专注于从开发到量产过渡期间优化成品率的工程师。
据报道，三星正在加速其平泽P4工厂的设备采购，预计将开始量产第六代10nm级DRAM（1cDRAM）。
三星难以达到Nvidia的HBM标准
据报道，三星的HBM3E未能满足行业标准，今年可能会被排除在Nvidia的供应链之外。Wccftech于12月11道称，三星未能满足Nvidia的HBM标准，并罕见地道歉，同时表示对取得突破持乐观态度。
据《》报道，三星承认今年“极不可能”满足英伟达对8层和12层HBM3E芯片的要求，但对明年仍持乐观态度。
据报道，由于SKHynix采用大规模回流成型底部填充(MR-MUF)等先进技术提高了标准，三星一直难以赢得Nvidia的信任。
路透社3月12道称，三星对非导电薄膜(NCF)技术的依赖导致了生产问题，并未能满足Nvidia的HBM3标准。
MoneyDJ报道称，三星最近订购了MUF专用芯片制造设备。分析师指出，三星3月份的HBM3良率仅为10-20%，远低于SK海力士当时的60-70%。
三星将2,000名工程师重新分配到平泽，很可能是为了解决HBM3的产量问题并缩小与SKHynix的差距。
SK海力士3nmHBM4战略拉大与三星的差距
韩媒称，三星此次人事调整旨在提高对其第六代HBM4核心芯片至关重要的1cDRAM成品率，并缩小竞争激烈的HBM市场的差距。
SKHynix和美光已在其HBM4产品中选择了1bDRAM（第五代10nm级）。专家表示，三星认为提高1cDRAM产量对于克服HBM市场挑战至关重要。
KEDGlobal最新报告显示，受客户需求推动，SKHynix将在2025年底转向3nm工艺生产HBM4。该公司将与台积电合作，主要客户为英伟达。
雅虎新闻援引社交平台X内部人士报道称，SK海力士采用台积电3nm技术，是对三星计划采用4nm工艺进行HBM4生产的战略回应。
HBM芯片依靠底部的基片，连接到GPU作为其“大脑”。与HBM4芯片中的5nm芯片相比，3nm基片可以将性能提高20-30%。
SK海力士转向3nm工艺符合其深化与英伟达、谷歌和微软等美国大型科技公司联系的战略，同时在美国出口限制的情况下减少对中国的依赖。
HBM4的3nm基础芯片预计将扩大SK海力士对三星的领先优势，三星计划在其第六代HBM4芯片中使用4nm工艺。据YahooNews和MoneyDJ报道，三星正在探索3nmHBM4芯片的生产，可能使用台积电的3nm技术。
三星在HBM4挑战中重组领导层
据Businesskorea报道，继第三季度预测疲软之后，三星的战略现在集中在早期HBM4量产和2nm以下代工解决方案上。
KEDGlobal此前报道称，由于在人工智能热潮期间，三星在高级存储器领域落后于SK海力士和美光，该公司可能会削减高管职位并重组半导体业务。
韩联社和TrForce报道称，三星电子于11月27日提前通知高管解雇事宜，启动年底重组。
KEDGlobal援引行业官员的话称，三星的DRAM竞争力不断下降，必须进行重组，这是扭转命运的关键一步。
